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国内电解制氢与氢储能发展现状

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国内【文献链接】JiantaoFu,etal.OxygenDopingInducedbyNitrogenVacanciesinNb4N5EnablesHighlySelectiveCO2Reduction,Small,2020,16,1905825DOI:10.1002/smll.201905825。

电解并通过STEM技术明确缺陷态来源于单硫和双硫空位。温度低于125K时,制氢荧光谱线中1.75eV附近处出现一个新的缺陷态发射峰(XD),其强度为A激子发射峰(XA)的2倍(图2c-d)。

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发展(a-b)单层1H-MoS2中VS缺陷的的侧视图和俯视图。感谢中国国家自然科学基金、现状四川省自然科学基金的资助。研究亮点:国内1.在实验上证实了缺陷态的谷赝自旋特性,借助外磁场对其进行操控,观察到增强谷塞曼劈裂效应,填补了实验空白。

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同时,电解缺陷态电子有效质量增加了7倍,增强了谷磁矩,从而再次增强缺陷态谷塞曼劈裂。(c)外磁场下,制氢缺陷态谷塞曼劈裂原理示意图。

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3.提出了缺陷态增强谷塞曼劈裂效应的物理机制,发展有效电子质量以及d轨道磁矩的增加导致了塞曼劈裂的增加。

含有硫空位时,现状±K谷处的价带顶以及缺陷态能级由Mo原子的5个d轨道组成:dzx和dzy(m=±1)、dx2-y2和dxy(m=±2)及dz2轨道(m=0)。c)计算,国内从左到右分别计算干净表面Ptd轨道的PDOS、Pt位点吸附氢的H1s和吸附氢的Pt位点的Ptd(表示为*Ptd轨道)。

电解d)Pt1/N-C和Pt/C电催化剂的TOF图。这意味着单个金属原子与载体之间的相互作用将会自我调节,制氢从而促进催化反应的进行。

发展插图:放大的白线峰和后边缘XANES区域。现状c)相应的图1e的k2加权傅里叶变换(FT)光谱。

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